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SPICE精度的时序分析解决方案

ICExplorer-XTime

  随着集成电路工艺的不断发展,以及越来越多低功耗设计对超低电压的追求,传统的基于工艺角的静态时序分析时序签核方案面临越来越大的挑战。
  先进工艺下,各种工艺效应对时序的影响变得更加敏感,如米勒效应,长尾效应等,导致STA计算数据和实际Silicon的误差变大。对于低电压设计及DVFS动态电压频率调整,由于Foundry提供的工艺角有限,无法覆盖全工作场景,需要寻求单独的解决方案去分析不同电压,温度下设计的性能表现。先进工艺节点导致工艺偏差呈现非高斯分布,在低电压下更加明显,即使STA增加了处理方式如AOCV/POCV/LVF,仍然会引入过量悲观或者出现覆盖不全的情况。考虑到可靠性相关的动态效应,设计者同样需要寻求有效的解决方案。
  ICExplorer-XTime®提供了SPICE精度快速准确的时序分析解决方案,完美的解决了16nm及以下先进工艺条件下,特别是针对低电压物联网IoT设计,STA与Silicon之间的精度问题。内置的V/T sweep 功能可以帮助自动分析时序路径随电压,温度变化的敏感度。快速Monte carlo仿真提供高效、高精度的工艺偏差分析。Aging仿真覆盖动态效应,提供了可靠性分析解决方案。
  ICExplorer-XTime®已被多家芯片设计公司采用,进行时序校验,变电压性能预测,timing signoff criteria 制定,动态效应分析等。设计类型包括CPU, 矿机, IoT, 手机,网络等。经回片数据验证,和silicon的correlation在±2%以内。

 

相关下载
  • ICExplorer XTime-datasheet
  • 【数字电路时序老化效应分析】
  • 【跨电压域路径的高精度时序分析】
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