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中国刚突破128层QLC闪存,三星出招:首发160层闪存
2020-04-20 11:51:12
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上周中国的长江存储公司宣布攻克128层3D闪存技术,QLC类型容量做到了1.33Tb容量,创造了三个世界第一。国产闪存突飞猛进,三星等公司也没闲着,三星正在开发160堆栈的3D闪存。

对3D闪存来说,堆栈层数越多,容量就越大,存储密度就越高,这是3D闪存的核心竞争力,2020年全球将大规模量产100+层的3D闪存

不过每家的技术方案不同,东芝、西数的BiCS 5代3D闪存是112层的,美光、SK海力士有128层的,Intel的是144层,而且是浮栅极技术的,三星去年推出的第六代V-NAND闪存做到了136层,今年也是量产的主力。

在136层之后,三星目前正在研发160层及以上的3D闪存,将成为第七代V-NAND闪存的基础。

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目前160层+的3D闪存还没有详细的技术信息,韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺,从现在的单堆栈(single-stack)升级到双堆栈(double-stack),以便制造更高层数的3D闪存。

考虑到三星在NAND闪存行业占据了超过1/3的份额,实力是最强的,不出意外160+层堆栈的闪存应该也会是他们首发,继续保持闪存技术上的优势,拉开与对手的差距。

对了,单从层数上来说,三星的160层+还不是最高的,SK Hynix去年宣布正在研发176层堆栈的4D闪存,不过他们家的闪存结构甚至命名都跟其他厂商有所不同,不能单看层数高低。

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引用自:芯通社

*免责声明:本文源自芯通社。文章内容系作者个人观点,转载仅为了传达不同观点交流与提升半导体行业认知,不代表对该观点赞同或支持,如转载涉及版权等问题,请发送消息至公号后台与我们联系,我们将在第一时间处理,非常感谢!

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