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华虹半导体90纳米BCD工艺平台投片
2020-05-11 09:25:41
详细内容

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近日,华虹半导体有限公司宣布,其高性能90纳米BCD工艺平台在华虹无锡12英寸生产线顺利实现产品投片。该工艺可极大提高电源效率、显著缩减芯片面积,将在数字电源、数字电机驱动、数字音频功放等芯片领域获得广泛应用。


紧贴电源管理技术高集成度和智能化的发展趋势,华虹半导体最新推出了90纳米BCD工艺平台,其LDMOS涵盖5V至24V电压段,其中Switch LDMOS具有耐高击穿电压下的较低导通电阻,达到业界先进水平。


为了满足高集成度发展趋势,该工艺平台亦提供1.5V CMOS选项,具有更高的逻辑门密度,可有效缩减芯片面积。结合较少的生产掩模数,能为客户提供性价比更优的芯片代工方案。


同时,该平台可提供多种器件集成,并配套丰富的数字单元库和OTP及MTP嵌入式存储器选项,增强了设计的集成度和灵活度。在该平台上,华虹半导体还将继续投入研发资源,提供更丰富的器件类型,并将LDMOS扩展至40V及以上电压段,覆盖更广泛的应用需求。


此外,华虹半导体持续8英寸生产线的研发创新,优化升级现有满足车规要求的180纳米BCD技术,在相同的击穿电压下,导通电阻平均降低约25%,技术性能显著提升,达到业界先进水平。


公司将进一步将180纳米BCD技术中的LDMOS的最高电压由40V扩展至100V,并提供更多电压段的设计选项,满足工业控制及汽车电子领域需求。同时,集成嵌入式闪存模块的110纳米BCD工艺平台,可达到车规级应用要求,实现了高智能化控制与电源管理集成的单芯片解决方案。


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引用自华虹半导体

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