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深藏不露,山西这个半导体项目明年将投产
2020-05-22 09:00:13
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据新华社报道,目前,北纬三十八度集成电路制造有限公司(以下简称“BWIC”)厂房基础建设已经完成,正在验收阶段,预计明年年中可投产,年底可实现量产。


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图片来源:新华社


此外,BWIC总经理蒋建对此表示,达产以后,如果芯片全部用于制造手机的话,每年可以制造3亿多部手机的射频模组芯片。


据了解,BWIC的“微波功率放大器芯片制造加工项目”和“射频声表面波滤波器芯片制造加工项目”入选2020年山西省级重点工程项目名单。

北纬三十八度集成电路制造有限公司(以下简称”BWIC”或公司)创立于2018年,位于山西省北纬三十八度的忻州市,是6英寸GaAs化合物半导体IC芯片的专业晶圆代工服务公司。

BWIC新建一条6英寸砷化镓集成电路生产线,由具有化合物半导体生产研发丰富经验的中日团队管理及运营,能提供优质的、高效能水平的赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺技术。

该pHEMT工艺能应用射频、微波和毫米波集成电路,主要包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等中的搭载的射频功率放大器模块、GPS低噪声放大器和射频开关等等。

BWIC 将吸收和引进先进水平的6英寸砷化镓集成电路(GaAs IC)制备技术,采用目前掌握的行业领先工艺技术批量生产性能优异的6英寸砷化镓集成电路产品,用于射频、微波和毫米波集成电路

主要包括功率放大器、低噪声放大器、RF开关等产品,为实现4G移动通信系统、无线WiFi系统、高速卫星通信系统等必不可少的关键部件,并且在将来的5G移动通信系统、新兴的汽车防撞系统、卫星定位系统等领域具有广阔的应用前景。

核心技术是0.25微米增强型AlGaAs/InGaAs pHEMT IC工艺,这工艺也包括金属电阻、外延层电阻、MIM电容和背面通孔。为了满足毫米波应用的要求,将来开发0.15微米增强型pHEMT IC工艺。


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引用自: 今日半导体

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